1. Lý lịch trích ngang
hình đại diện
Họ và Tên: Thi Trần Anh Tuấn
Năm sinh: 5/8/1981
Mã cán bộ: T57-A2.1(V.07.01.02)-14233
Chức vụ: Trưởng Bộ Môn
Học vị/học hàm: Tiến Sĩ-Giảng Viên Chính
Đơn vị công tác: Khoa Khoa học Cơ bản
Email: thitrananhtuan@tvu.edu.vn
Điện thoại: +84984 91 92 63
Nơi làm việc: B11-403-Bộ môn Vật Lý
2. Học tập
Bằng cấp Trường Chuyên ngành Thời gian
Cử nhân Đại học Khoa học Tự nhiên, ĐHQG TPHCM Vật lí điện tử 10/1998-10/2002
Thạc Sĩ Đại học Khoa học Tự nhiên, ĐHQG TPHCM Vật lí điện tử (Hướng kỹ thuật) 9/2006-10/2008
Tiến Sĩ Đại học Quốc Gia KH và KTCN Đài Loan Khoa học và Vật liệu 9/2012-6/2015
Sau tiến sĩ Đại học Quốc Gia KH và KTCN Đài Loan Khoa học và Vật liệu 6/2015-4/2016
3. Giảng dạy

- Vật lí đại cương A1 (Cơ - Nhiệt);

- Vật lí đại cương A2 (Điện - Quang);

- Vật lí đại cương (Ngành Dược)

- Vật Lý và Lý Sinh

- Vật liệu linh kiện điện tử

- Vật liệu quang bán dẫn;

- Năng lượng tái tạo

- Phương pháp nghiên cứu khoa học

4. Lĩnh vực nghiên cứu

- Vật lí, điện-điện tử, 

- Vật liệu Nano, Vật liệu bán dẫn, vật liệu bán dẫn điện tử,

- Vật liệu chết tạo pin, năng lượng mặt trời

5. Các công bố khoa học
5.1. Các đề tài nghiên cứu khoa học
- Đề tài cấp trường
  1/ “Thiết kế và thi công mạch quang báo”, (2003-2004) (đã nghiệm thu)
  2/ “Phần mềm bài giảng điện tử ”, (2005-2006) (đã nghiệm thu)
5.2. Các bài báo khoa học
- Tạp chí Việt Nam
  1/

Dinh Sy Hien, Thi Tran Anh Tuan, Nguyen Thi Luong, Mô phỏng một số đặc tính của transitor dùng ống Nano Cacbon, Journal of Sience and Technology Development,Viet Nam National University-Ho Chi Minh city, Vietnam, 13, 2010, 15-27.

  2/

Tran Nguyen Phuong Lan, Thi Tran Anh Tuan, Yi-Hsu Ju, Lu-Ki Ong, Identification of bioactive compounds in water extract of sarang semut (myrmecodia pendans) bulb and its potential for the inhibition of hela and MDA-MDA-MB-231 cancer cells. The University of Da Nang, Journal of Science and Technology, 17, 2019, 17-21.

  3/

Trần Nguyễn Phương Lan, Lương Huỳnh Vủ Thanh, Trần Thanh Trúc, Lý Kim Phụng,  Phạm Quốc Phú, Ngô Trương Bảo Trang, Nguyễn Thị Anh Thư, Lê Phan Hưng,  Huỳnh Quốc Khanh, Thi Trần Anh Tuấn và Trần Nguyễn Phương Dung, Tổng hợp zeolite NAA/NAX từ tro trấu không nung bằng phương pháp thủy nhiệtTạp chí Khoa học Trường Đại học Cần Thơ, 56, 6A, 2020, 22-32 

- Hội thảo khoa học quốc tế
  1/

Dinh Sy Hien, Tran Tien Phuc, Thi Tran Anh Tuan, Pham Thanh Trung, Nguyen Thi Luong, Development of quantum device simulator, NEMO-VN1Journal of Physics. Conference Series, UK, 187, 2009, 012088.

  2/

Dinh Sy Hien, Thi Tran Anh Tuan, Nguyen Thi Luong, Dinh Viet Nga, Modeling of planar carbon nanotube field effect transistor and three dimensional simulations of current-voltage characteristicsJournal of Physics. Conference Series, UK, 187, 2009, 012049.

  3/

Dinh Sy Hien, Thi Tran Anh Tuan,  Nguyen Thi Luong , Dinh Viet Nga, 3D simulation of coaxial carbon nanotube field effect transistor. Journal of Physics. Conference Series, 187, UK, 2009, 012061.

- Báo ISI  (Có chỉ số trích dẫn IF)
  1/

Thi Tran Anh Tuan, Dong-Hau Kuo, Cheng-Che Li, Wei-Chun Yen, Schottky barrier characteristics of Pt contacts to all sputtering to all sputtering-made n-type GaN and MOS diodes. Journal of Materials Science: Materials Science in Electronic, 25, 2014, 3264–3270, IF: 1.96.

  2/

Thi Tran Anh Tuan, Dong-Hau Kuo, Characteristics of RF reactive sputter-deposited Pt/SiO2/n-InGaN MOS Schottky diodes. Materials Science in Semiconductor Processing, 30 2015, 314–320, IF: 1.76.

  3/

Thi Tran Anh Tuan, Dong-Hau Kuo, Temperature-dependent electrical properties of the sputtering-made n-InGaN/p-GaN junction diode with a breakdown voltage above 20 V. Materials Science in Semiconductor Processing, 32, 2015,160–165, IF: 1.76.

  4/

Thi Tran Anh Tuan, Dong-Hau Kuo, Cheng-Che Li, Wei-Chun Yen, Electrical and structural properties of Mg-doped InxGa1−xN (x ≤ 0.1) and p-InGaN/n-GaN junction diode made all by RF reactive sputtering. Materials Science and Engineering B, 193, 2015,13–19, IF: 3.2.

  5/

Dong-Hau Kuo, Thi Tran Anh Tuan, Cheng-Che Li, Wei-Chun Yen, Effects of Mg doping on the performance of InGaN Films made by Reactive sputtering. Journal of Electronic Materials, 44, 2015, 210-216, IF: 1.8.

  6/

Thi Tran Anh Tuan, Dong-Hau Kuo, Kaifan Lin, Guan-Zhang Li, Temperature dependence of electrical characteristics of n–InxGa1-xN/p–Si hetero junctions made totally by RF magnetron sputtering.Thin solid films, 589, 2015,182-187, IF: 1.86.

  7/

Thi Tran Anh Tuan, Dong-Hau Kuo, Cheng-Che Li, Guan-Zhang Li, Effect of Temperature Dependence on Electrical Characterization of p-n GaN diode fabricated by RF Magnetron Sputtering. Materials Sciences and Applications 6, 2015, 809-817, IF: 1.06.

  8/

Wei-Liang Chen, Dong-Hau Kuo, Thi Tran Anh Tuan, Preparation of CuSbS2 Thin Films by Co-Sputtering and Solar Cell Devices with Band Gap-Adjustable n-Type InGaN as a Substitute of ZnO. Journal of Electronic Materials, 45, 2016, 688-694, IF: 1.8

  9/

Albert Daniel Saragih, Thi Tran Anh Tuan, Dong-Hau Kuo, Thin film solar cell based on p-CuSbS2 together with Cd-free GaN/InGaN bilayer. Journal of Materials Science: Materials Science in Electronic, 28, 2017, 2996–2003, IF: 1.78.

  10/

Wei-Liang Chen, Dong-Hau Kuo, Thi Tran Anh Tuan, CdS-Free p-Type Cu2ZnSnSe4 sputtered n-Type InxGa1-xN Thin Film Solar Cells. Journal of Electronic Materials, 46 2017,1481-1487, IF: 1.8

  11/

Thi Tran Anh Tuan, Dong-Hau Kuo, Albert Daniel Saragih, Guan-Zhang Li, Electrical properties of RF-sputtered Zn-doped GaN films and p-Zn-GaN/n-Si hetero junction diode with low leakage current of 10^-9 A and a high rectification ratio above 10^5. Materials Science and Engineering B, 222, 2017,18–25. IF: 3.2

  12/

Quoc-Phong Pham, Nguyen Vu Luc, Thi Tran Anh Tuan and Chao-Chang Chen, Simulation of cutting locus and overlap cutting by diamond dressing in cmp process, International Journal of Mechanical Engineering and Technology.10, 2019,720-727. IF: 0.8

  13/

Quoc-Phong Pham, Thi Tran Anh Tuan, Chao-Chang A. Chen, and Ajay Gupta, Force analysis model for elastomer CMP pad by Diamond tool, International Journal of Mechanical & Mechatronics Engineering (IJMME-IJENS). 19, 2019, 71-78, IF: 1.2.

  14/

Cao Phuong Thao, Dong-Hau Kuo, Thi Tran Anh Tuan, Kim Anh Tuan, Nguyen Hoang Vu, Thach Thi Via Sa Na, Khau Van Nhut, and Nguyen Van Sau, The effect of RF Sputtering conditions on the physical Characteristics of deposited GeGaN thin film. Coatings, 9, 2019, 645-649, IF: 2.33.

  15/

Thi Tran Anh Tuan, Dong-Hau Kuo, Cao Phuong Thao, Pham Quoc-Phong, Vinh Khanh Nghi,  and Nguyen Phuong Lan Tran, Electrical and Structural Properties of All-SputteredAl/SiO2/p-GaN MOS Schottky Diode. Coatings, 9, 2019, 685-690, IF: 2.33.

  16/

Thi Tran Anh Tuan, Dong-Hau Kuo, Cao Phuong Thao, Nguyen Van Sau, Quoc-Phong Pham, Nghi Vinh Khanh and Nguyen Phuong Lan Tran, Electrical Characterization of RF Reactive Sputtered p–Mg-InxGa1−xN/n–Si Hetero-Junction diodes without using buffer layer. Coatings,9, 2019, 699-704, IF: 2.33

  17/

Cao Phuong Thao, Thi Tran Anh Tuan, Dong-Hau Kuo, Wen-Cheng Ke and Thach Thi Via Sa Na, Reactively Sputtered Sb-GaN Films and its Hetero-Junction Diode: The Exploration of the n-to-p Transition, Coatings, 10, 2020, 210-216, IF: 2.33

  18/

Thi Tran Anh Tuan, Huu Phuc Dang, Thanh Tung Nguyen, My Hanh Nguyen Thi, Truong Thi Ngoc Chinh, Tran Le, Effect of N solubility in the SnO2 host lattice on the structural, electrical, and optical properties of p-type Ga- and N- co-doped SnO2 (GNTO) films . Journal of Photochemistry and Photobiology A: Chemmistry, 4002020, 112708, IF:3.31

  19/

Thi Tran Anh Tuan, Anh Quang Duong, Nguyen Van Sau, Huu Phuc Dang, Tran Le, Investigating N solubility in the host lattice of p-type Al- and N-co-doped SnO2 films with various N2 contents in sputtering gas. Optical Materials,111, 2021,110665, IF: 2.78 

  20/

Cao Phuong Thao, Dong-Hau Kuo, Thi Tran Anh Tuan,The effect of RF sputtering temperature conditions on the structural and physical properties of grown SbGaN thin film, Coatings, 11, 2021, 752-757, IF: 2.33

  21/

Thi Tran Anh Tuan.  Dong‑Hau Kuo,Cao Phuong Thao,Tran Nguyen Phuong Lan,  Nguyen Van Sau, Truong Thi Ngoc Chinh, Co Thi Thuy, Fully sputtered n–AlInGaN/p–Mg‑InxGa1−xN (x ≤ 0.1) heterojunction diodes: Electrical properties over a wide temperature range, Journal of Electronic Materials, 51, 2022, 1288-1296, IF: 1.94

- Giáo trình
  1/

Thi Trần Anh Tuấn,  Vật lí Đại Cương (Cho Ngành Dược), Bộ môn Vật lí, Trường Đại học Trà Vinh.

  2/

Chương Sách- Advanced Strategies in Thin Film Engineering by Magnetron Sputtering (Chapter Book) - Printed Edition of the Special Issue Published in Coatings-MDPI-by Alberto Palmero and Nicolas Martin-MDPI-ISBN:978-3-03936-430-5.

6. Các giải thưởng, thành tự khoa học
  1/

Award of Merit: “Temperature-dependent Characterization of p-n GaN diode fabricated by RF Magnetron Sputtering”, Thi Tran Anh Tuan, Dong-Hau Kuo, Cheng-Che Li, Guan-Zhang Li. (International Thin Films conference-TACT, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan, 11-2015).

TRƯỜNG ĐẠI HỌC TRÀ VINH
KHOA KHOA HỌC CƠ BẢN
Số 126 Nguyễn Thiện Thành, khóm 4, phường 5, TP.Trà Vinh
Điện thoại: (+84).74.3855246
Số nội bộ: 271